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LINT-208G自动型WAFER平坦度测试仪

设备性能及技术参数:

1.适用范围

可用于测量工件尺寸为Φ2---Φ8(INCH)直径的园型晶片

2.测量精度及量程

2.1关于厚度

厚度量程:100---2000um,测量精度与WAFER表面光洁度有关,即:

测量重复精度(半导体类双拋表面WAFER):±0.3um ;

测量重复精度(半导体类研磨表面WAFER): ±0.5um ;

测量重复精度(蓝宝石类单拋表面WAFER):±0.5um ;

2.1关于表面形态参数测量精度

测量精度:±0.05μm

重复性精度:±0.015μm

分辨率:±0.005μm

像素点数:≦62500

3.分选速度

为了保证不造成对WAFER表面造成损伤,研究人员建议的安全分选速度为:

180片/小时左右。


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